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Micro-LED應用于近眼顯示的現(xiàn)狀與趨勢

作者:周自平 黎垚 嚴銀菓 江昊男 陳恩果 徐勝 葉蕓 孫捷 嚴群 郭太良來源:《液晶與顯示》日期:2022-08-06人氣:3888

近年來,顯示器件作為最關(guān)鍵的信息獲取媒介,在第三次革命之后得到了迅速的發(fā)展,從笨重的陰極射線管發(fā)展到現(xiàn)在緊湊的平板顯示技術(shù),例如液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子點發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)、微發(fā)光二極管(Micro-LED)等。隨著顯示技術(shù)與通信技術(shù)的飛速發(fā)展,對高質(zhì)量的視頻和圖片的要求越來越高,因此對于沉浸式的視覺體驗的需要也逐步提升。

頭戴式顯示器(Head Mounted Displays,HMDs)也稱為近眼顯示器,是實現(xiàn)沉浸式增強現(xiàn)實(Augmented Reality,AR)、虛擬現(xiàn)實(Virtual Reality,VR)的重要設備。早在20世紀50年代,AR和VR就已經(jīng)應用在國防領(lǐng)域1,而隨著2021年 “元宇宙”概念的提出,近眼顯示設備被認為是元宇宙的門戶而成為了研究熱點。

近眼顯示系統(tǒng)中可作為光學引擎的微顯示屏有硅基液晶(Liquid-Crystal-on-Silicon,LCoS)顯示器、數(shù)字光處理(Digital Light Processer,DLP)顯示器、Micro-OLED、Micro-LED等。Micro-LED技術(shù)由S. X. Jin等人于2000年首次提出2,此后世界上各大公司和研究院所對Micro-LED顯示展開了大量的研究。對比于傳統(tǒng)顯示技術(shù),Micro-LED 擁有出色的亮度、高發(fā)光效率、低能耗、高反應速度、高對比度、超高解析度與色彩飽和度等,被認為是理想的顯示技術(shù)。Micro-LED 具有LED所擁有的大部分優(yōu)點,還具有體積小、易拆解、靈活度高的特征,可以覆蓋絕大多數(shù)的顯示應用場景3。在2021年CES展會上三星The Wall系列產(chǎn)品再次升級,其擁有大約2 400萬個可單獨、主動式發(fā)光Micro-LED光源,BOE也展示了采用玻璃基板主動驅(qū)動方式的Micro-LED顯示產(chǎn)品,無不凸顯著Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)的關(guān)注度。

相對于大面積Micro-LED顯示產(chǎn)品,近眼顯示中Micro-LED的應用也已經(jīng)開始出現(xiàn)原型產(chǎn)品,并且在AR顯示中嶄露頭角。Vuzix公司發(fā)布了以Micro-LED為光學引擎的AR眼鏡,所采用的是光波導加Micro-LED光源的形式,其外觀更接近于傳統(tǒng)的普通眼鏡。光波導是極佳的近眼3D顯示載體,可通過光學元件形成雙目視差來實現(xiàn)近眼的3D顯示。2021年,Snapchat的母公司Snap推出了AR智能眼鏡,可以將3D效果映射到佩戴者的周圍環(huán)境。同年雷鳥創(chuàng)新、小米科技、OPPO等科技公司均發(fā)布了自己的AR智能眼鏡,其方案都是Micro-LED與衍射光波導結(jié)合來實現(xiàn)AR顯示。

在Micro-LED和近眼顯示技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下,本文旨在梳理Micro-LED的研究進展,并總結(jié)其在近眼AR顯示中的發(fā)展現(xiàn)狀,對比分析Micro-LED應用于近眼顯示的優(yōu)劣勢,最后,對Micro-LED應用于近眼顯示的未來發(fā)展進行展望。

2 Micro-LED研究進展

2.1 Micro-LED技術(shù)的發(fā)展

Micro-LED技術(shù)源于美國貝爾實驗室微盤激光器技術(shù)4,2000年Jin等2人首次制備了Ⅲ族氮化物的Micro-LED;2004年Jeon等5人則提出了20 μm、64×64陣列的紫外Micro-LED;2009年劉召軍等6人報道了使用倒扣焊集成技術(shù)制備了8×8的Micro-LED的有源驅(qū)動陣列,并且在2011年使用了三色熒光粉實現(xiàn)了Micro-LED的全彩化顯示7。在顯示應用方面,索尼公司于2012年首次推出了139.7 cm(55 in)的Micro-LED顯示屏;2015年Han等8人報道了采用UV光激發(fā)量子點實現(xiàn)全彩化的Micro-LED;2020年Kim等人9提出了一種有效的技術(shù),通過傳統(tǒng)的光刻技術(shù),使用光固化丙烯酸和納米有機變色材料的混合物,在藍色Micro-LED上沉積顏色轉(zhuǎn)換層。同年Liang等10人綜述了全彩化的Micro-LED研究進展,并且采用量子點色轉(zhuǎn)換層制備了高色域的全彩化Micro-LED。2022年南方科技大學與香港科技大學及中國科學院蘇州納米所組成的團隊制備了不同規(guī)格的深紫外Micro-LED器件,其中10 μm×10 μm的深紫外Micro-LED在連續(xù)波發(fā)光情況下,最高亮度達到了185 W/cm2,最高的外量子效率達到了3.43%11

通過Google學術(shù)的搜索分析,Micro-LED相關(guān)文章的搜索數(shù)量從2000年開始逐漸增長。從2006年開始,該領(lǐng)域更是呈指數(shù)級增長,2021年共計出版文章7 000多篇。目前,幾乎所有科技企業(yè)都將Micro-LED技術(shù)視為下一代的顯示技術(shù)。圖1為近幾年Micro-LED的關(guān)鍵性研究進展節(jié)點。雖然Micro-LED在顯示方面有著顯著的優(yōu)勢,但隨著Micro-LED芯片尺寸的減小,Micro-LED的制備在外延生長、全彩化、巨量轉(zhuǎn)移、檢測技術(shù)等方面仍然存在著一些瓶頸。并且Micro-LED的良率問題、發(fā)光效率、波長一致性還沒有達到全彩化顯示的要求12

圖1  Micro-LED發(fā)展歷程圖

Fig.1  Development history of Micro-LED


2.2 Micro-LED的結(jié)構(gòu)與工藝

Micro-LED的制備工藝與傳統(tǒng)的LED制備工藝有一定的相關(guān)性13-14。Micro-LED的襯底可以是硅(Si)襯底、碳化硅(SiC)襯底、藍寶石襯底等,以基于藍寶石襯底生長的GaN基頂發(fā)射的Micro-LED為例,圖2(a)展示了一種制備單個Micro-LED的方法15-17。首先,通過金屬有機化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition,MOCVD)在藍寶石襯底上進行了Micro-LED的外延生長。該外延結(jié)構(gòu)包括非故意摻雜的GaN緩沖層、n-GaN層、InGaN/GaN多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)區(qū)和p-GaN層,之后通過電子束蒸發(fā)或磁控濺射在p-GaN層表面制備出銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜,ITO起著電流擴散層的作用,具有低電阻率和高透光率的特點。其次,通過電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蝕外延晶片,并對其進行熱退火,形成p-GaN的p型歐姆接觸。通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)沉積SiO2鈍化層以分離p型電極和n型電極。最后,通過濺射在n-GaN層的表面上沉積Ti/Au層作為n-pad。與制備n型電極類似,Ti/Au沉積在ITO層上以形成p-pad。

圖2  (a)單氮化鎵基頂發(fā)射Micro-LED的工藝示意圖;(b)無源尋址微型LED陣列示意圖;(c)有源尋址Micro-LED陣列示意圖。

Fig.2  (a) Schematic illustration of the process of a single GaN-based top-emission Micro-LED; (b) Schematic illustration of the passive addressing Micro-LED array; (c) Schematic illustration of the active addressing Micro-LED array.


Micro-LED陣列可通過不同的制備方法獲得,根據(jù)尋址方式可分為被動尋址和主動尋址。圖2(b)給出了一個典型的無源尋址Micro-LED陣列的示意圖。每個像素分別連接p型金屬線和n型金屬線,由掃描行電極和柱電極驅(qū)動18。此外,簡單的有源尋址Micro-LED陣列的原理圖如圖2(c)所示。每個Micro-LED都有一個公共的n觸點和一個獨立的p觸點用于單獨尋址19

2.3 Micro-LED面臨的挑戰(zhàn)

2.3.1 顯示屏的制備

Micro-LED顯示屏的制備是實現(xiàn)近眼顯示設備的基礎(chǔ),其制備工藝首先要將大量Micro-LED晶粒組裝成Micro-LED陣列,然后將這些單元陣列轉(zhuǎn)移到接收基板上,再通過單片異質(zhì)技術(shù)集成到光電系統(tǒng)中20。根據(jù)屏幕尺寸的不同,Micro-LED可以單獨、分組或作為整個陣列進行組裝和轉(zhuǎn)移21?;诖蟪叽缙聊唤M裝的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是將襯底上的Micro-LED磊晶單獨或分組地拾取并轉(zhuǎn)移到帶有驅(qū)動電路的基板上。用作近眼顯示設備的Micro-LED屏幕尺寸較小且應具備較高的像素密度,通常選擇適合小型顯示的單片集成技術(shù)來制造此類小間距Micro-LED顯示屏,如圖3所示,直接將數(shù)十萬個Micro-LED的完整單片陣列與背板混合集成來實現(xiàn)22

圖3  單片集成制造流程圖

Fig.3  Monolithic integration manufacture


單片集成技術(shù)的原理是將襯底上小間距磊晶與兼容該間距的有源矩陣驅(qū)動電路通過焊接集成在一起21。在這個過程中需要將每個單獨的LED磊晶焊接到有源矩陣的相應焊盤上,對齊和鍵合是這兩個獨立元件集成的重要因素。目前已有的單片集成技術(shù)包括金屬布線、微管粘接和粘合劑粘接等23。金屬布線是比較常規(guī)的集成技術(shù),主要采用共晶的方式對倒裝芯片進行焊接24,該技術(shù)的關(guān)鍵是共晶材料的選擇和焊接溫度的控制,但鍵合時較高的溫度可能會對Micro-LED芯片造成損傷,且工藝成本較高。Jiang25等人使用共晶技術(shù)將倒裝芯片鍵合到15 μm以下間距的驅(qū)動上進行顯示應用。倒裝芯片可靠的集成性對于提高成品良率是有利的,但與10 μm及以下間距的電路不兼容限制了其發(fā)展,在接線與倒裝芯片鍵合時需要加熱,襯底的熱膨脹系數(shù)不同可導致熱失配造成器件損壞。微管粘接是由Leti公司提出技術(shù)方案26,適用于10 μm 左右間距的器件進行焊接,微管可以生長在Micro-LED上作為焊接的媒介,也可以生長在背板上減少背板的制作難度。針對近眼顯示對高亮度、高像素密度微顯示器件的需求27,Templier等人于2016年實現(xiàn)了使用微管粘接技術(shù)集成像素間距為10 μm的Micro-LED器件28,并進一步在2017年成功將像素間距縮小為3 μm29。近年來,Micro-LED器件的像素間距朝著更小的趨勢發(fā)展,并且出現(xiàn)了發(fā)光像素在1 μm以內(nèi)的LED器件,即Nano-LED,這為高像素密度的近眼顯示提供了技術(shù)儲備30-32。粘合劑粘結(jié)技術(shù)是使用各向異性導電膜(ACF)通過熱壓工藝進行集成33。ACF可以在Micro-LED和底部電極之間產(chǎn)生牢固的附著力和相互連接,但由于ACF自身結(jié)構(gòu)的限制, 無法滿足小尺寸的 Micro-LED 鍵合需求,呈現(xiàn)出一定的局限性。盡管Micro-LED在微顯示的集成技術(shù)已經(jīng)取得了重大進展,但是集成技術(shù)的可擴展性仍然是其商業(yè)化道路上的挑戰(zhàn)。圖4(a)所示為利用銦凸點將硅CMOS IC與Micro-LED陣列進行倒裝鍵合的橫截面示意圖,圖4(b)展示了膠粘劑鍵合技術(shù),圖4(c)為顯示微管鍵合流程圖34-35

圖4  (a)利用銦凸點將硅CMOS IC與Micro-LED陣列進行倒裝鍵合的橫截面示意圖;(b)膠粘劑鍵合;(c)顯示微管鍵合。

Fig.4  (a) Cross-sectional schematic of flip-flop bonding of a Si CMOS IC to a Micro-LED array using indium bumps; (b) Adhesive bonding; (c) Display micro-tube bonding.


Micro-LED的轉(zhuǎn)移技術(shù)也是顯示屏幕制備的關(guān)鍵,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)已經(jīng)取得一些研究進展,包括抓取釋放法、自組裝法、激光轉(zhuǎn)移法等36-37。對于小尺寸Micro-LED顯示,需要將組裝好的顯示陣列的藍寶石襯底進行剝離轉(zhuǎn)移,目前大多采用激光技術(shù)對襯底進行剝離。Optovate公司提出一種圖案化激光剝離技術(shù)38,如圖5所示,使用激光束照射在藍寶石晶圓的生長界面處,導致界面處發(fā)生光與物質(zhì)相互作用,氮化鎵層被燒蝕分解成液態(tài)鎵和氮氣,從而釋放芯片與襯底脫離,集成到目標基板上,實現(xiàn)精準的顯示陣列。采用激光剝離的方式避免了對芯片的抓取,能有效提高轉(zhuǎn)移的精度和效率,但這種方法缺點也很明顯,在激光剝離過程中可能會使Micro-LED芯片表面出現(xiàn)凹陷和裂紋等損傷,影響工藝良率。現(xiàn)有的轉(zhuǎn)移技術(shù)要在保證成本效益的條件下實現(xiàn)高精度、高良率的轉(zhuǎn)移還比較困難,是制約Micro-LED商業(yè)化進程的瓶頸技術(shù)。

圖5  激光剝離轉(zhuǎn)移過程示意圖

Fig.5  Schematic diagram of laser-induced forward transfer


2.3.2 全彩化

近眼顯示設備需要Micro-LED提供高分辨率、高像素密度圖像的同時,還需要全彩化的視覺效果來滿足沉浸性的體驗。Micro-LED陣列實現(xiàn)單色顯示是通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動基板貼合實現(xiàn),但要實現(xiàn)全彩顯示就相對復雜,大尺寸的屏幕可以分3次巨量轉(zhuǎn)移RGB三色Micro-LED晶粒來實現(xiàn)全彩顯示39,而小尺寸屏幕也可以采用UV/藍光LED加上發(fā)光介質(zhì)的方法實現(xiàn)色彩轉(zhuǎn)換40。該方法通過紫外或藍色等短波長的LED發(fā)光激發(fā)量子點或熒光粉材料的方式,可以在單一的InGaN/GaN材料上實現(xiàn)RGB發(fā)光,從而實現(xiàn)色彩轉(zhuǎn)換。發(fā)光材料的涂覆一般在Micro-LED陣列與驅(qū)動電路集成之后。

目前使用的發(fā)光介質(zhì)一般分為熒光粉和量子點,由于熒光粉粒徑較大,限制了其在小尺寸Micro-LED上的應用。量子點是一種納米材料40,在藍光/UV照射下會進行光致發(fā)光,且發(fā)光顏色與粒徑的大小有關(guān)。與普通的InGaN藍光激發(fā)熒光粉合成白光的LED不同,量子點被激發(fā)后易于調(diào)控出射光的發(fā)射波長,可以提供所需的色彩輸出。使用該方法獲得全彩顯示的主要挑戰(zhàn)是如何將發(fā)光介質(zhì)精確地放置到子像素上,目前常采用旋轉(zhuǎn)涂布、霧狀噴涂技術(shù)來開發(fā)量子點技術(shù),即使用噴墨打印技術(shù)噴涂出均勻且尺寸可控的量子點,裝置與原理示意圖如圖6所示。將其涂覆在UV/藍光LED上,其受激發(fā)出RGB三色光,再通過色彩配比實現(xiàn)全彩色化41。由于量子點具有較窄的半峰寬和較寬的吸收光譜,并且很高的發(fā)光效率,應用在Micro-LED顯示上會得到色彩純度與飽和度較高的畫面,因此小尺寸的Micro-LED通過量子點技術(shù)進行色彩轉(zhuǎn)換是一種可行的方案42-45。

圖6  基于量子點的Micro-LED顯示全色發(fā)光的工藝流程

Fig.6  Micro-LED display panchromatic luminescence based on quantum dots


目前,量子點技術(shù)存在著材料穩(wěn)定性差、散熱要求高、壽命短且需要密封、顏色均勻性不佳、重吸收等問題46,限制了其應用于Micro-LED色彩轉(zhuǎn)換,是目前Micro-LED應用在近眼顯示設備進程中面臨的巨大挑戰(zhàn)。

除了制備工藝與全彩化的挑戰(zhàn),Micro-LED應用于近眼顯示還需要關(guān)注其芯片發(fā)光效率隨著尺寸減小而急速下降的問題,以及潛在的環(huán)境光干擾與色差等問題47-49,并且其現(xiàn)階段的制造良率和所帶來的高成本問題也有待解決。

3 近眼顯示的發(fā)展現(xiàn)狀

3.1 人眼的視覺特性

舒適性和沉浸性是近眼顯示設備的評價指標,舒適性可以從穿戴舒適度上體現(xiàn),比如近眼顯示器的重量、散熱、尺寸等方面都能影響穿戴的舒適度。視覺舒適度也是評價近眼顯示器舒適感的一部分,在大視場、高分辨率和自然的畫面情況下能有效提高視覺的舒適度,近眼顯示設備的沉浸性可使使用者身臨其境。為了應對舒適性和沉浸性的挑戰(zhàn),需要對人類的視覺特性與局限性有深入的了解,圍繞以人類視覺系統(tǒng)為核心的光學設計過程則顯得尤為重要。

人眼是一個優(yōu)秀的高動態(tài)感光系統(tǒng),能實時處理5個數(shù)量級以上的照度,并且具有長時間適應能力,最多可以感受到10-3~104 lx的寬域照度50。因此為了再現(xiàn)真實的場景,近眼顯示設備需要滿足高動態(tài)范圍(High Dynamic Range,HDR)51。為了實現(xiàn)HDR,顯示器需要有高峰值的亮度(Lp>1 000 cd/m2)和較暗的狀態(tài)(Lp<0.01 cd/m2),因此對比度是一個非常關(guān)鍵的參數(shù)52。VR眼鏡要求沒有環(huán)境光的干擾,且抑制VR設備內(nèi)部的雜散光,使得對比度達到1 000∶1以上。但是對于AR系統(tǒng)來說,要考慮環(huán)境光的影響,在室外環(huán)境光比較強的情況下,則需要AR系統(tǒng)能夠提高更高的亮度。

3D顯示技術(shù)利用了人眼存在的雙目視差,由于兩個瞳孔存在著距離,使得左右眼視網(wǎng)膜上所成的像稍有差異,經(jīng)過大腦的處理,可以感受到立體的圖像53-55。3D顯示技術(shù)可以通過控制顯示設備使不同視角的圖像進入兩眼,獲得深度信息。然而大多數(shù)的VR系統(tǒng)通過平板顯示的方式生成圖像信息,這將產(chǎn)生輻輳調(diào)節(jié)沖突(Vergence-Acommodation Conflict,VAC),如圖7所示。VAC指人眼在觀察3D顯示屏時,單眼所獲得的焦點距離與雙眼會聚過程所產(chǎn)生的距離不相同,從而導致感知上的混亂與視覺上的疲勞和不適應56。

圖7  (a)輻輳調(diào)節(jié)沖突原理圖;(b)正常情況下的會聚距離與焦點距離示意圖。

Fig.7  (a) Vergence-acommodation conflict schematic; (b) Schematic diagram of vergence distance and accommodation under normal conditions.


圖8所示,人眼的單眼視場(Field of View,F(xiàn)OV)大約為水平160°和垂直130°,兩眼相結(jié)合的水平視場角大約有200°,水平相重疊的區(qū)域大約有120°57。對于AR系統(tǒng)來說,現(xiàn)有的AR顯示器的視場大小尚不能滿足人眼視覺系統(tǒng)的需求,換句話說小視場的近眼顯示器對沉浸感的影響很大,其所面臨的主要問題還是如何擴大視場。但是對于VR近眼顯示器來說,目鏡的f/#值決定了其孔徑,而焦距的縮放則可以改變FOV。假定顯示屏的總像素是固定的,則像素密度和視場之間將有一個權(quán)衡,更大的視場將導致像素密度下降,導致紗窗效應(Screen-door Effect)或者看到明顯像素點邊界,降低了沉浸式體驗58。全息光學元件(Holographic Optical Elements,HOEs)等新型的光學元件為該問題提供了可能的解決方案。例如,2018年Tan等人58基于HOEs設計了一種高分辨率區(qū)域可移動的近眼顯示器,其關(guān)鍵的Pancharatnam-Berry光學元件可追蹤眼球并切換相應的顯示區(qū)域,從而有效解決了紗窗效應59-66。正常人眼視覺的分辨率能達到60 PPD,在這個分辨率下當需要110°的視場時,其顯示器需要超過6K×6K的像素67。2022年福州大學團隊利用有序分子自組裝技術(shù)結(jié)合轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)制備了像素密度高達25 400 PPI的超高分辨率的QLED,為近眼顯示提供了高密度顯示屏的解決方案68。由于人眼的高分辨率僅存在于中央凹區(qū)域,脫離這個區(qū)域視力急劇下降69。因此只有在中央的區(qū)域才需要高分辨率,這就提出了中央凹顯示(Foveated Display)技術(shù)的概念70。在中央凹顯示技術(shù)中,整個觀察區(qū)域的顯示分辨率是不同的,可以通過兩個不同的面板相組合來實現(xiàn),但是卻增大了近眼顯示設備的大小,而Micro-LED顯示技術(shù)有高的分辨率和小體積,并且壽命長的優(yōu)勢,應用于近眼顯示設備更有利于實現(xiàn)這種技術(shù)。

圖8  人眼的視場范圍

Fig.8  Feld of view of the human eye


3.2 近眼顯示的光學架構(gòu)

隨著智能手機的發(fā)展,形成了AR和VR的熱潮,并且得益于芯片的發(fā)展,近眼顯示的功能也越加完善和豐富,將AR/VR相結(jié)合,既可以在真實的世界上疊加虛擬的信息,又可以完全地展示虛擬的畫面,稱為混合現(xiàn)實(Mixed Reality,MR),或稱之為擴展現(xiàn)實(XR)71,圖9展現(xiàn)了虛擬現(xiàn)實的圖譜關(guān)系,從完全的現(xiàn)實到純粹的虛擬72

圖9  虛擬現(xiàn)實圖譜

Fig.9  Reality-virtuality spectrum


與VR顯示器不同的是,AR顯示器由光學引擎與光學組合器組合而成,光學引擎作為顯示圖像的來源,而光學組合器將顯示的圖像傳送到人眼,并傳輸環(huán)境光。FOV、動眼框(Eyebox)、傳輸效率及MTF等參數(shù)主要取決于光學組合器,圖像亮度、整體效率和形狀大小等屬性受到了整體結(jié)構(gòu)的影響。北京航空航天大學、天津大學、上海交通大學、中山大學、北京理工大學、浙江大學等國內(nèi)高校均開展了這方面的研究73-80。圖10所示為幾種AR顯示設備的光學組合器。

圖10  不同類型的AR光學組合器

Fig.10  Different types of AR optical combiners


在AR顯示設備中,光學架構(gòu)一般可分為自由曲面型(Freeform)和光波導型(Waveguide)。自由曲面AR顯示具有較好的光效率和均勻性,但通常體積較大,在保證觀看效果時,需要在FOV和Eyebox大小之間保持平衡。相反,光波導型的AR設備形狀較小,可以通過出瞳孔擴展(Exit Pupil Expansion,EPE)過程放大系統(tǒng)的視野范圍,對于光波導AR顯示器通常使用立體顯示器或變焦/多平面顯示器來實現(xiàn)3D顯示。光波導因其外觀更接近于眼鏡,相比于其他光學組合器兼顧了靈活性與性能,近幾年受到了大量科研院校與機構(gòu)的研究,并成為AR顯示設備的主流光學元件。2021年,Darkhanbaatar等人81通過使用光聚合物微反射鏡陣列取代表面浮雕光柵(Surface Relief Gratings,SRGs)與體全息光柵(Volume Holographic Gratings,VHGs), 利用全息微鏡陣列作為耦入元件,從顯示的元素圖像集重建三維圖像,并保留了現(xiàn)有全息波導型AR系統(tǒng)的主要優(yōu)點,該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖11所示?;诩沙上裆傻脑貓D像由微顯示器顯示,元素圖像經(jīng)過全息微鏡陣列重構(gòu)3D圖像,重構(gòu)后的3D圖像的非相干光束在波導內(nèi)經(jīng)過反射后,到達耦出元件,最后反射至人眼。

圖11  3D透明AR顯示系統(tǒng)原理圖

Fig.11  3D see-through AR display system


當光在波導內(nèi)傳播時,波導的折射率決定全內(nèi)反射(Total Internal Reflection,TIR)角,并且耦合元件會影響視場角與色彩均勻性。幾何陣列波導由多個部分反射面組成,通過多層部分反射面將波導內(nèi)部傳輸?shù)墓夥瓷淙肴搜?,每一層的部分反射面形成一個出瞳可以實現(xiàn)EPE,但幾何陣列光波的TIR角限制了其FOV,且噪聲問題難以改善,使得出光分布不均,并且制備工藝相對復雜,良品率較低。表面浮雕光柵波導利用SRGs作為耦合元件,將光耦入或耦出光波導。而不同波長的光線易被其他波長對應的光柵結(jié)構(gòu)所衍射,形成串擾??赏ㄟ^設計多層光柵結(jié)構(gòu)來解決此問題,如微軟Hololens 2使用了兩層光柵結(jié)構(gòu)實現(xiàn)全彩化。波導中最關(guān)鍵的部分是耦入/耦出光學元件,體全息光柵波導中的HOEs可在任意波前記錄和重建中表現(xiàn)出獨特的特性82-83,可作為光柵、擴散器、透鏡被廣泛應用于近眼顯示系統(tǒng),并且成為AR設備光波導耦合元件中的最佳候選者84-88。3種近眼顯示平面光波導的光學架構(gòu)如圖12所示,分別為幾何陣列光波導、表面浮雕光柵波導及體全息光柵波導。

圖12  (a)幾何陣列光波導結(jié)構(gòu)圖;(b)表面浮雕光柵光波導結(jié)構(gòu)圖;(c)體全息光柵光波導結(jié)構(gòu)圖。

Fig.12  Schematic of (a) the geometric waveguide with transflective mirror array, (b) the diffractive waveguide with surface relief gratings, (c) the diffractive waveguide with volumetric holographic gratings.


3.3 近眼3D顯示

人們對于逼真視覺體驗的需求推動了當前二維圖像從平面屏幕向三維場景的轉(zhuǎn)變。第一個3D技術(shù)可追溯到1838年,由Charles Wheatstone提出,這項技術(shù)被稱為立體視覺。最初雙目深度感知是通過兩片反射鏡向觀察者的左眼和右眼反射兩個偏移圖像來實現(xiàn)的。之后在20世紀初,通過利用視差屏障、集成攝影以及透鏡的方式實現(xiàn)了可容納更多深度信息的3D顯示方法89-91。1948年,Dennis Gabor發(fā)現(xiàn)了全息顯示技術(shù)的原理92,這項技術(shù)最初被用于提高電子顯微鏡的分辨率。直到1960年,激光的發(fā)明標志著光學全息技術(shù)的開始。在過去的30年里,LCD、OLED、LCoS等平板顯示器的發(fā)展,加速了3D技術(shù)的發(fā)展,并逐漸將光學架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榭纱┐髟O備93-96。

得益于VR技術(shù)的迅速發(fā)展,Oculus、Huawei VR Glass、Pico等部分VR設備價格也比較低廉,但AR設備的生產(chǎn)成本卻較高。目前大多數(shù)的AR/VR設備都是通過立體視覺來實現(xiàn)3D顯示,這種方式存在VAC的問題。自21世紀初以來,人們提出了許多方法來解決這一關(guān)鍵問題,包括多焦/變焦顯示、全息顯示、集成成像(Integral Imaging)顯示或麥克斯韋視圖顯示97-102。多焦顯示器以不同深度呈現(xiàn)多幅圖像,以模擬原始3D場景??勺兘咕囡@示器則在每個時間幀僅顯示一幅圖像,圖像深度與觀察者的聚集深度相匹配。

基于平面成像的近眼3D顯示系統(tǒng)一般是指通過利用一個或多個平面形成近眼3D顯示的光學系統(tǒng)。通過一個固定平面形成3D顯示存在VAC的問題,而變焦顯示器雖然一次只生成一個焦平面,但是聚焦深度隨輻輳距離而變化,并可通過眼動儀檢測到103。多焦平面顯示是AR應用中較為常用的顯示技術(shù),多焦平面解決方案可以分為兩類:深度生成方法和信息復用通道。通過改變物體距離或系統(tǒng)的光功率來實現(xiàn)多焦平面,可以區(qū)分為基于距離的系統(tǒng)和基于功率的系統(tǒng),并且可以通過同時調(diào)節(jié)光學距離與系統(tǒng)光功率實現(xiàn)多焦平面顯示設計104-105。在信息復用通道的方法中,通常需要高信息流率才能通過添加另一個空間維度將2D顯示器擴展到3D顯示,這通常通過多路復用過程來實現(xiàn)106。用于疊加虛像平面的信息通道有4種,包括空間、時間、偏振和波長。

空間復用允許直接構(gòu)建多焦平面的顯示器。在20世紀末,Rolland等人提出了一種通過將14個平面間距離均勻的透明顯示器疊加,形成一種多焦平面的顯示,其原理如圖13(a)所示 107。雖然這種設計在非球面顯示器件中難以實際應用,但它指出了一般多焦顯示器件的設計原則,如焦平面數(shù)、焦平面間距和分辨率要求等。光學組合器疊加可以通過疊加分束器、棱鏡和光波導等光學組合器,而不是直接疊加顯示器或投影屏幕來實現(xiàn)3D顯示。最初由Akeley等人108提出并設計了具有3個焦平面的多焦顯示器模型。如圖13(b)所示,利用堆疊的分束器將LCD面板分成3個子面板,形成3個焦平面,也可通過疊加更多的自由曲面棱鏡來實現(xiàn)空間復用109。但這些模型的體積都較大,并不適合真實的應用場景。

圖13  (a)透明顯示器疊加;(b)光學組合器的疊加中分束器的堆疊;(c)偏振復用多焦平面顯示;(d)波長復用的多焦平面顯示。

Fig.13  (a) Transparent display stack; (b) Stacking of beam splitters in stacking of optical combinators; (c) Polarization-multiplexed multi-focal-plane display; (d) Wavelength-multiplexed multi-focal-plane display.


對二維圖像偏振復用的概念最早由Lee等人在2016年提出,通過對液晶面板像素級的偏振調(diào)制,為二維圖像創(chuàng)造深度信息110。2018年Zhu等人提出了空間復用與偏振復用同時進行的多焦平面顯示器,將兩個LCD面板級聯(lián),創(chuàng)建兩個獨立的深度111。如圖13(c)所示,通常偏振復用的多焦平面顯示由顯示面板、偏振器和一個偏振相關(guān)光學元件組成。

波長復用的多焦平面系統(tǒng)概念由Zhan等人提出112。其原理如圖13(d)所示,通過將兩個具有不同波長的激光投影機在屏幕上投射出兩幅圖像,并被濾波器分為兩個深度,形成3D效果。雖然這個簡單的設計驗證了通過波長多路復用提供多個焦平面的可行性,但在實際應用中仍然存在許多挑戰(zhàn)。如在每個顏色通道中混合波長會直接影響色彩表現(xiàn),并且濾波器的角度要求較高。

集成成像利用透鏡或針孔陣列等周期性光學結(jié)構(gòu),將光的空間信息從二維元素圖像轉(zhuǎn)換為具有空間和角度信息的三維光場113-114。在這個過程中,空間分辨率被用來提供角度信息的多視圖通道??梢酝ㄟ^采用快速掃描鏡或高幀率空間光調(diào)制器(Spatial Light Modulator,SLM)來臨時創(chuàng)建多視圖,其中高速顯示和視點轉(zhuǎn)換設備是多視圖結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵115-116。近年來,大量基于HOEs的集成成像系統(tǒng)被報道117-119。具有光學透明度的HOEs可以實現(xiàn)透視功能,同時顯示3D圖像。

全息顯示被認為是一種真正的3D技術(shù),其可以通過再現(xiàn)三維物體發(fā)出的光的振幅和相位信息實現(xiàn)3D顯示120-123。傳統(tǒng)的光學全息術(shù)利用光干涉將真實物體的波前記錄在膠片上,然后投射參考光束來再現(xiàn)三維虛擬物體。與光學全息相比,計算機生成全息具有靈活的波前控制和實時圖像更新功能,因此在近眼顯示中得到了廣泛關(guān)注124。

盡管全息技術(shù)被冠以終極3D顯示的名號,但在商業(yè)AR/VR產(chǎn)品的實際應用方面仍有很長的路要走。當前其主要的技術(shù)障礙包括激光散斑導致的圖像分辨率下降,SLM有限的空間帶寬積(Space-bandwidth Product,SBP)造成的FOV和Eyebox大小之間的權(quán)衡,以及對計算全息方法(Computer-generated Holography,CGH)快速實時計算的高要求125-127。目前可以通過高級衍射光等多種方法增大視場,并且已有有效的方法抑制散斑效應128-130。此外,激光也可以被部分相干光源替代,如Micro-LED131。

4 Micro-LED用于近眼顯示的優(yōu)勢

VR系統(tǒng)中沒有環(huán)境光的干擾,所以僅需考慮對比度,而在AR系統(tǒng)中,有外界的環(huán)境光干擾,因此需要考慮的是AR系統(tǒng)的環(huán)境對比度(Ambient Contrast Ratio,ACR)。ACR的定義如下132-133



(1)

其中,T是顯示透射率,LonLoff)表示在開(關(guān))狀態(tài)下的顯示亮度(cd/m2),Lambient表示環(huán)境光明亮程度,通常是以照度(lx)為單位,但是為方便計算,這里將照度除以π轉(zhuǎn)換為亮度單位134。通過式(1)可知,如果在較亮的環(huán)境中,比如室外環(huán)境下,要使人眼接收到清晰的圖像,對光學引擎的亮度要求比較高。即使對于對比度相對較高的顯示器(CR>100),在環(huán)境光較強的狀態(tài)下也容易導致內(nèi)容無法識別。一般要求可識別圖像的最小ACR為5∶1 134。要改善近眼顯示設備的ACR,最直接的方法就是提高顯示屏的亮度。

目前,近眼顯示中常用的光學引擎有硅基液晶(LCoS)、DLP、Micro-OLED及Micro-LED。其中LCoS顯示器通過反射進行光控制,由于結(jié)構(gòu)相對簡單,使用半導體制造工藝來實現(xiàn),分辨率密度可達4 000像素/英寸,亮度可達30 000 cd/m2,并且有產(chǎn)生全息圖像的潛力,近年來LCoS技術(shù)已經(jīng)在眾多的AR、VR設備中使用,如Google Glass、HoloLens等132。但是由于LCoS需要偏振分束器,使得其體積不能再進一步降低,并且由于驅(qū)動的復雜性進一步限制了其廣泛的應用135。與LCoS相似,德州儀器公司的DLP也是一種反射式顯示,能達到LCoS的亮度,DLP技術(shù)基于DMD數(shù)字微鏡結(jié)構(gòu),通過精確控制每個微鏡的偏轉(zhuǎn)角度來實現(xiàn)成像136。相比之下DLP體積比LCoS小,但是也需要較大的反射光路。

在LCoS被應用于近眼顯示之后,Micro-OLED微顯示器應用于近眼顯示設備也受到了極大的關(guān)注137。Micro-OLED結(jié)構(gòu)包括了硅基CMOS背板、OLED器件,陽極金屬、陰極和薄膜封裝、彩色濾光片和蓋玻片等138。近眼顯示設備要求有更高的分辨率實現(xiàn)逼真的圖像,因此這樣的實現(xiàn)方式比通過陰影掩模對蒸發(fā)的發(fā)射器進行直接彩色圖案化更為有利139。Micro-OLED與LCoS/DLP相比,有著較小的尺寸,并且亮度水平能達到103~104 cd/m2,但是隨著亮度的提高,相對應的是其壽命的減少140。OLED是由薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)控制的直流電流驅(qū)動,因此TFT的退化會也會降低亮度,縮短Micro-OLED的壽命141。由于Micro-OLED的有機發(fā)光材料的特性,快速老化、壽命短、色純度低等缺陷也逐漸暴露出來。因此,不論是LCD、LCoS、DLP、Micro-OLED都有其固定的技術(shù)局限性。

相比于其他幾種顯示技術(shù),Micro-LED技術(shù)因在較低的功耗下能達到高的亮度、具有高對比度、響應時間較短、色域?qū)挼葍?yōu)點,其應用于近眼顯示有著一定的優(yōu)勢。經(jīng)典的Micro-LED結(jié)構(gòu)是由直接帶隙半導體材料制成的PN結(jié)二極管,當Micro-LED處于正向偏置狀態(tài)時,來自半導體導帶的電子與價帶中的空穴重新結(jié)合,從而發(fā)出單色光的光子,通常Micro-LED的最大半峰全寬線寬為20 nm,并能夠提供超過140% NTSC的高度色彩飽和度142。在最近的Micro-LED研究中,Micro-LED尺寸為63.5 cm(25 in)、300 A/cm2時的亮度可以達到2.89×106 cd/m2的峰值亮度,并且有真正的黑色狀態(tài),分辨率可以達到5 000 PPI143。Micro-LED相比于其他光學引擎的參數(shù)對比如表1。

表1  近眼顯示設備中幾種光學引擎性能對比
Table 1  Comparison of the performance of several optical engines in near-eye display devices

DLPLCoSMicro-OLEDMicro-LED
Luminous modeBacklight moduleBacklight moduleSelf-luminousSelf-luminous
Luminance (cd/m2104~105[135104~105[144103~104[139>106[142
Contrast ratio103∶1103∶1104∶1>106∶1
Form factorMediumLargeSmallSmall
Luminous efficiencyMediumLowHighHigh
Response timeMillisecond levelMillisecond levelMicrosecond levelNanosecond level
LifetimeMediumMediumShortLong
Optical combiner adaptationWaveguidePrism,WaveguideBirdbath,F(xiàn)reeform surfaceAlmost

5 總結(jié)與展望

近眼顯示光機和光學組合器的尺寸對于使用體驗不可忽視,就當前的研究進展來看,Micro-LED與光波導所組合成的AR顯示設備最接近眼鏡形態(tài),舒適度較高。Micro-LED高對比度、響應時間較短、色域?qū)挼葍?yōu)點為未來近眼顯示提供了無限的可能,但是Micro-LED的屏幕制備、全彩化等問題是目前面臨挑戰(zhàn)。人眼的視覺需求也為近眼顯示提供了定量的標準,同時也指出了當前需要解決的主要問題,如FOV、分辨率、VAC、顯示亮度和效率等。近眼顯示中的AR顯示也面臨諸多挑戰(zhàn),所要解決的不僅是滿足人眼視覺性能,還有如何更高效率、小體積地提高顯示效果等問題。通過對比各類型微顯示器件的相關(guān)參數(shù),Micro-LED都有著一定的優(yōu)勢。此外,Micro-LED不僅可以在柔性、可彎曲、可伸縮的基板上制備134,而且已被驗證可以實現(xiàn)透明顯示145,這有望結(jié)合多平面顯示應用在近眼顯示中解決VAC問題。鑒于未來近眼顯示需要復雜的硬件以及龐大的數(shù)據(jù)量以支持多維交互,Micro-LED以其高密度、高亮度、高效率的特征,有望結(jié)合三維圖像采集、觸覺感知和輸入、光學技術(shù)、信號集成技術(shù)等,實現(xiàn)一種具有真三維空間顯示的高度集成半導體顯示系統(tǒng)146。隨著顯示技術(shù)、Micro-LED微顯示技術(shù)和光學技術(shù)的發(fā)展,未來的近眼顯示設備必然會更加小巧和舒適,有望隨著“元宇宙”的概念在大眾消費者中普及開來。


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