銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的電化學(xué)行為及電沉積銅機(jī)理
因具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和力學(xué)性能,金屬銅被廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)、汽車(chē)工業(yè)、建筑工程等領(lǐng)域,有著較高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值[1-2]。作為一種電勢(shì)較高的金屬,銅可以通過(guò)電沉積的方式來(lái)制取[3]。常見(jiàn)的電沉積銅的溶液體系包括硫酸鹽鍍液、焦磷酸鹽鍍液、氰化物鍍液等[4-5]。盡管在這些鍍液中都能得到質(zhì)量較佳的金屬銅,但是依然存在鍍液腐蝕性強(qiáng)、能耗大、工藝復(fù)雜、環(huán)境危害大等問(wèn)題。相比之下,離子液體具有導(dǎo)電性良好、環(huán)境友好、電鍍工藝簡(jiǎn)單、無(wú)析氫干擾等優(yōu)勢(shì)[6-7]。近些年,已有大量關(guān)于離子液體電沉積金屬銅[8-11]及Cu-Zn[12-13]、Cu-Sn[14]、Cu-Mn[15]、Cu-Ni[16]等高附加值銅合金的相關(guān)研究。Tierney等[17]通過(guò)銅絲的陽(yáng)極溶解獲得了含Cu(Ⅰ)的氯鋁酸離子液體,并借助電沉積得到了致密結(jié)節(jié)狀的銅沉積物;Dhahbi等[18]將氯化銅溶于三正辛基甲基氯化銨-氯仿二元混合介質(zhì)中,并通過(guò)電沉積獲得了中等致密性的銅薄膜;孫杰等[19]將氯化銅溶于1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸離子液體中,并通過(guò)電沉積得到了單質(zhì)銅。這些均表明離子液體體系在電沉積銅上具有較大的潛力,而電沉積作為最重要的金屬回收技術(shù)之一,其行為與電極材料、電解質(zhì)及傳質(zhì)過(guò)程等息息相關(guān),因此,深入探索離子液體電沉積銅的電化學(xué)行為及機(jī)理可為金屬銅的有效回收提供理論指導(dǎo)。
氯鋁酸離子液體因其較強(qiáng)的Lewis酸性在有機(jī)反應(yīng)和工業(yè)催化上得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用[20-21]。其中,銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體對(duì)碳四烷基化反應(yīng)有著優(yōu)異的催化效果,且該復(fù)合離子液體碳四烷基化技術(shù)已實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用[22-23]。銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的制備主要是通過(guò)向基礎(chǔ)離子液體中加入含銅化合物或者借助電化學(xué)手段以銅絲為陽(yáng)極電解溶入離子液體中來(lái)實(shí)現(xiàn)的。工業(yè)用銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體中Cu(Ⅰ)含量較高,主要以Cu(Ⅰ)的氧化態(tài)形式存在,其中,最主要的存在形式為[CuCl2]-,其他還有少量的[Cu2Cl3]-和[AlCuCl5]-等[24]。復(fù)合離子液體碳四烷基化工業(yè)運(yùn)行過(guò)程中會(huì)外排少量離子液體,對(duì)其進(jìn)行合理處理和有效利用可提高該技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力,其中,采用電化學(xué)處理可通過(guò)電沉積的方式實(shí)現(xiàn)銅資源的高效回收和利用,是一種有效的處理手段。
目前,文獻(xiàn)報(bào)道的電沉積銅的離子液體體系多為含Cu(Ⅱ)的離子液體[8-11,18-19,25],如含7 mmol Cu(Ⅱ)的N-丁基吡啶氯鋁酸離子液體[8]或含19.58 mmol Cu(Ⅱ)的1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸離子液體[10]等。而含Cu(Ⅰ)的離子液體體系研究相對(duì)較少,如含0.16 mmol Cu(Ⅰ)的1-丁基-3-甲基咪唑氯鋁酸離子液體[26]或含22 mmol Cu(Ⅱ)的1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸離子液體[27]。至于高含量Cu(Ⅰ)離子液體的電化學(xué)研究更加少見(jiàn),但對(duì)含Cu(Ⅰ)離子液體,尤其是工業(yè)用高Cu(Ⅰ)含量離子液體電化學(xué)處理策略的制定十分關(guān)鍵。由于Cu(Ⅰ)含量對(duì)離子液體電化學(xué)行為及動(dòng)力學(xué)行為影響很大,深入探討并進(jìn)一步完善高Cu(Ⅰ)含量離子液體的電化學(xué)行為及機(jī)理對(duì)后續(xù)電沉積工藝優(yōu)化和產(chǎn)物質(zhì)量提升等方面具有重要作用,這也有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)運(yùn)行過(guò)程中廢料中銅資源的高效利用。此外,即便對(duì)于常見(jiàn)的含Cu(Ⅱ)的離子液體,在電沉積過(guò)程中銅的還原過(guò)程也需要經(jīng)歷兩步單電子轉(zhuǎn)移過(guò)程,即Cu(Ⅱ)→Cu(Ⅰ)→Cu[8-9],其中,最重要的一步便是Cu(Ⅰ)還原為Cu,這是決定銅沉積形貌和質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。因此,對(duì)含Cu(Ⅰ)的離子液體體系的電化學(xué)行為及機(jī)理深入系統(tǒng)研究為碳四烷基化復(fù)合離子液體催化劑的資源化利用奠定了良好的基礎(chǔ),這也與可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)相符。
本文考察了工作電極和掃描速率對(duì)銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體循環(huán)伏安曲線的影響,對(duì)其氧化還原過(guò)程進(jìn)行探討,通過(guò)計(jì)時(shí)安培法研究Cu(Ⅰ)的成核機(jī)制,借助掃描電鏡(SEM)、能譜儀(EDX)和X射線衍射儀(XRD)等研究銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體電沉積產(chǎn)物的形貌、組成及元素分布,以此來(lái)確定銅在復(fù)合離子液體中的還原過(guò)程和生長(zhǎng)機(jī)制,為工業(yè)裝置外排復(fù)合離子液體中金屬銅的回收利用奠定基礎(chǔ)。
1 實(shí)驗(yàn)材料和方法
1.1 試劑
鹽酸三乙胺(Et3NHCl,AR)、無(wú)水三氯化鋁(AlCl3,AR)、氯化亞銅(CuCl,AR)均購(gòu)自上海阿拉丁生化科技股份有限公司;丙酮(C3H6O,AR)、乙醇(C2H6O,AR)、二氯甲烷(CH2Cl2,AR)均購(gòu)自北京伊諾凱科技有限公司。
1.2 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的制備
參照文獻(xiàn)中的合成方法[23],在室溫下向三口燒瓶中加入經(jīng)干燥后的Et3NHCl,然后在攪拌下將一定量的無(wú)水AlCl3分批緩慢加入三口燒瓶中,控制溫度為120℃,連續(xù)攪拌約2 h。然后在反應(yīng)體系中加入適量的無(wú)水CuCl,升溫至150℃,攪拌4 h至體系為均相,在手套箱中冷卻至室溫,靜置12 h后過(guò)濾除去雜質(zhì),所得黃綠色溶液即為銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體,其可直接用作電解液。該離子液體的基礎(chǔ)物性可參考與之相似的高Cu(Ⅰ)含量的1-丁基-3-甲基咪唑氯鋁酸離子液體[28]。
1.3 電化學(xué)測(cè)試與電沉積
室溫下采用CHI760E電化學(xué)工作站(上海辰華儀器公司)在三電極體系中進(jìn)行測(cè)試,對(duì)電極為Pt片電極(10 mm
1.4 表征
采用掃描電子顯微鏡(美國(guó)FEI公司,Quanta 200)觀察鍍層的表面形貌,并用配套的能譜儀(EDX)分析元素組成和分布。采用X射線衍射儀(德國(guó)Bruker公司,D8 Advance)分析沉積產(chǎn)物的物相組成,測(cè)試條件:CuKα輻射,管壓40 kV,管流30 mA,掃描范圍5°~90°,掃描速度1(°)·s-1。
采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(美國(guó)PerkinElmer公司,Optima 7000DV,ICP-OES)測(cè)量金屬元素的含量,測(cè)試條件:射頻功率1.3 kW,輔助氣流量0.2 L?min-1,蠕動(dòng)泵速1.5 ml?min-1。ICP-OES測(cè)得電沉積前離子液體中Cu(Ⅰ)的含量為5.33%(質(zhì)量),Al(Ⅲ)的含量為11.54%(質(zhì)量)。已知電沉積前銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體密度ρ為1.335 g?ml-1,可知電沉積前亞銅和鋁的濃度分別為1.12和5.71 mol?L-1。
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
2.1 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的循環(huán)伏安研究
圖1所示為銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在掃描速率為100 mV?cm-2下三種不同工作電極的循環(huán)伏安曲線。由于復(fù)合離子液體中Cu(Ⅰ)含量較高,可以看出其CV曲線無(wú)論是與含微量Cu(Ⅰ)的氯鋁酸離子液體的CV曲線相比,還是與含Cu(Ⅱ)的氯鋁酸離子液體的CV曲線相比,都有較大的差異。對(duì)于含Cu(Ⅰ)的氯鋁酸離子液體,含0.16 mmol Cu(Ⅰ)的BMIC-2AlCl3離子液體在低碳鋼電極上CV曲線主要顯示鋁的還原和氧化,而Cu(Ⅰ)的還原峰非常微弱[26];含5 mmol Cu(Ⅰ)的BMIC-2AlCl3離子液體在玻碳電極上的CV曲線顯示其還原過(guò)程包括銅的超電勢(shì)沉積(overpotential deposition,OPD)和鋁銅共沉積過(guò)程,其氧化峰對(duì)應(yīng)的氧化過(guò)程主要包括Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)[30]。含Cu(Ⅱ)的Et3NHCl-2AlCl3離子液體在金盤(pán)電極上的CV曲線顯示還原過(guò)程包含Cu(Ⅱ)的還原、鋁銅共沉積和Al(Ⅲ)的還原[31]。可知銅的價(jià)態(tài)和含量對(duì)氯鋁酸離子液體的電化學(xué)行為的影響較大。此外,在不同工作電極上離子液體的電化學(xué)氧化還原過(guò)程也會(huì)有輕微差異?;诖耍瑢?duì)比三種不同的工作電極,發(fā)現(xiàn)W盤(pán)電極與Pt盤(pán)電極、玻碳電極峰形有所不同,Pt盤(pán)電極和玻碳電極明顯有形成成核圈的趨勢(shì),而W盤(pán)電極并沒(méi)有該趨勢(shì),說(shuō)明銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在Pt盤(pán)電極和玻碳電極上的電沉積很可能是成核控制過(guò)程。但是這三者的陽(yáng)極氧化峰對(duì)應(yīng)的氧化過(guò)程均包括Cu→Cu(Ⅰ)、Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ),這與文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果相吻合[10,18,32]。陰極還原區(qū)域均包括銅的欠電勢(shì)沉積(UPD)、Cu(Ⅰ)的還原[Cu(Ⅰ)→Cu]和銅的超電勢(shì)沉積(OPD),這與含微量Cu(Ⅰ)的氯鋁酸離子液體的CV曲線[26,30]相比差異較大,這歸因于低含量Cu(Ⅰ)的氯鋁酸離子液體除了發(fā)生銅的還原,還會(huì)發(fā)生鋁的還原或鋁銅的共沉積;而銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體由于Cu(Ⅰ)含量較高,其還原產(chǎn)物比較單一,即該電化學(xué)窗口內(nèi)(1.0~-3.0 V)只涉及銅的還原過(guò)程。
圖1
圖1 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在Pt盤(pán)電極(a)、W盤(pán)電極(b)、玻碳電極(c)的循環(huán)伏安曲線(掃描速率為100 mV?s-1)
Fig.1 Cyclic voltammograms of Cu-Al bimetallic composite ionic liquid on Pt electrode (a), W electrode (b) and glass carbon electrode (c) with the scanning rate of 100 mV?s-1
CV曲線氧化還原峰位具體數(shù)值如表1所示,Pt盤(pán)電極的UPD峰有兩處,其數(shù)值分別為0.07和-0.43 V,Cu(Ⅰ)的還原峰值為-1.55 V,Cu→Cu(Ⅰ)、Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)這兩處陽(yáng)極氧化過(guò)程對(duì)應(yīng)的氧化峰值分別為-0.30和0.29 V。玻碳電極同Pt盤(pán)電極一樣,也有兩處UPD峰,其數(shù)值分別對(duì)應(yīng)0.04和-0.47 V,其Cu(Ⅰ)的還原峰值為-2.21 V,Cu→Cu(Ⅰ)、Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)這兩處陽(yáng)極氧化峰值分別為-0.52和0.36 V。W盤(pán)電極的UPD峰值為-0.08 V,Cu(Ⅰ)的還原峰值為-1.32 V,Cu→Cu(Ⅰ)、Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)這兩處陽(yáng)極氧化過(guò)程對(duì)應(yīng)的氧化峰值分別為-0.31和0.54 V。
表1 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在不同工作電極上CV曲線峰電位
Table 1
Electrode | Cu UPD/V | Electrodeposition of Cu(Ⅰ)/V | Cu→ Cu(Ⅰ)/V | Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)/V |
---|---|---|---|---|
Pt | 0.07,-0.43 | -1.55 | -0.30 | 0.29 |
W | -0.08 | -1.32 | -0.31 | 0.54 |
GC | 0.04,-0.47 | -2.21 | -0.52 | 0.36 |
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為了深入分析銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的電化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程,記錄了銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在W盤(pán)電極上不同掃速下的循環(huán)伏安曲線,如圖2所示。還原峰c1和c2分別歸屬于銅的欠電勢(shì)沉積和Cu(Ⅰ)的還原[Cu(Ⅰ)→Cu],氧化峰a2和a1分別歸屬于Cu→Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)。可以看出,隨著掃描速率的增加,這些峰的電流值也相應(yīng)增大,其中還原峰c1和c2的峰位逐步負(fù)移,可知峰電位隨著掃描速率的改變而變化,這說(shuō)明UPD過(guò)程和Cu(Ⅰ)的還原過(guò)程均為不可逆電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。
圖2
圖2 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在W盤(pán)電極上不同掃描速率下的循環(huán)伏安曲線
Fig.2 Cyclic voltammograms of Cu-Al bimetallic composite ionic liquid on W electrode with different scanning rates
為了確定銅在W盤(pán)電極上的UPD過(guò)程和Cu(Ⅰ)的還原過(guò)程的控制步驟,需要確定還原峰電流和掃描速率平方根這二者之間的關(guān)系,結(jié)果如圖3所示。可見(jiàn),還原峰c1和c2的峰電流ip與掃速平方根v1/2均具有良好的線性關(guān)系,其相關(guān)系數(shù)分別為0.9915和0.9856,符合Randles-Sev?ik方程[33],即
圖3
圖3 陰極峰電流ip與v1/2的關(guān)系
Fig.3 Relationship between cathodic peak current ip
對(duì)銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在W盤(pán)電極上的循環(huán)伏安曲線的電化學(xué)參數(shù)進(jìn)一步分析,其結(jié)果如表2和表3所示。由表2可知,Cu(Ⅰ)的還原峰電流與氧化峰電流之比Ic2/Ia2平均值為0.63,而不是1,進(jìn)一步也說(shuō)明該過(guò)程屬于不可逆過(guò)程,這與氯化銅在1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸離子液體中的結(jié)果[19]是一致的,即Cu→Cu(Ⅰ)過(guò)程為不可逆過(guò)程。對(duì)于受擴(kuò)散控制的不可逆電化學(xué)反應(yīng),其峰電流與峰電位分別符合
表2 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在W盤(pán)工作電極上不同掃描速率下的CV曲線的氧化峰數(shù)據(jù)
Table 2
v/(mV?s-1) | E | E | Ia1/(mA?cm-2) | E | E | Ia2/(mA?cm-2) | ∣Ic2/Ia2∣ |
---|---|---|---|---|---|---|---|
100 | 0.50 | 0.33 | 12.81 | -0.31 | -0.54 | 21.98 | 0.57 |
200 | 0.53 | 0.39 | 14.95 | -0.23 | -0.49 | 26.50 | 0.58 |
300 | 0.58 | 0.44 | 17.51 | -0.12 | -0.42 | 31.68 | 0.64 |
400 | 0.67 | 0.52 | 19.52 | -0.09 | -0.37 | 34.68 | 0.65 |
500 | 0.70 | 0.54 | 21.54 | -0.02 | -0.35 | 38.25 | 0.66 |
600 | 0.80 | 0.62 | 23.91 | 0.05 | -0.32 | 41.72 | 0.69 |
average | — | — | — | — | — | — | 0.63 |
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表3 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在W盤(pán)工作電極上不同掃描速率下的CV曲線的還原峰數(shù)據(jù)
Table 3
v/(mV?s-1) | E | E | Ic1/(mA?cm-2) | E | E | Ic2/(mA?cm-2) | αc2 | D0/(10-6cm2?s-1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
100 | -0.08 | 0.11 | -8.53 | -1.32 | -1.17 | -12.44 | 0.31 | 2.41 |
200 | -0.17 | 0.05 | -13.32 | -1.37 | -1.24 | -15.44 | 0.37 | 1.86 |
300 | -0.33 | -0.08 | -19.21 | -1.44 | -1.29 | -20.17 | 0.33 | 2.11 |
400 | -0.41 | -0.12 | -21.74 | -1.50 | -1.34 | -22.42 | 0.30 | 1.96 |
500 | -0.43 | -0.14 | -24.85 | -1.55 | -1.38 | -25.41 | 0.28 | 2.01 |
600 | -0.47 | -0.17 | -27.20 | -1.63 | -1.42 | -28.60 | 0.23 | 2.12 |
average | — | — | — | — | — | — | 0.30 | 2.08 |
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2.2 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的計(jì)時(shí)安培研究
通過(guò)計(jì)時(shí)安培法更細(xì)致地研究了銅電結(jié)晶的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。三維成核生長(zhǎng)的兩個(gè)邊界過(guò)程即三維瞬時(shí)成核過(guò)程和三維連續(xù)成核過(guò)程的理論模型分別對(duì)應(yīng)
圖4為銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在Cu絲上的電流-時(shí)間暫態(tài)曲線,可以看出在施加電壓后,電流先增大,當(dāng)?shù)竭_(dá)電流最大值im后逐步下降,最后趨向平緩,但并不接近零,由此可知銅的成核方式是三維成核。
圖4
圖4 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在Cu絲電極上的電流-時(shí)間暫態(tài)曲線
Fig.4 Current-time transient of Cu-Al bimetallic composite ionic liquid on Cu wire electrode
圖5為銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體不同電壓下電流-時(shí)間暫態(tài)無(wú)量綱曲線實(shí)驗(yàn)與理論對(duì)比,可以看出在-2.70~-2.85 V電壓范圍內(nèi)時(shí),銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的電流-時(shí)間暫態(tài)無(wú)量綱曲線更接近三維瞬時(shí)成核理論曲線,說(shuō)明銅的成核方式為三維瞬時(shí)成核,這與文獻(xiàn)報(bào)道的咪唑鹽離子液體體系中銅的成核過(guò)程相同[19,25]。
圖5
圖5 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體不同電壓下電流-時(shí)間暫態(tài)無(wú)量綱曲線實(shí)驗(yàn)與理論對(duì)比
Fig.5 Comparison of the dimensionless experimental current-time transient of Cu-Al bimetallic composite ionic liquid with the theoretical curves for instantaneous nucleation and progressive nucleation
2.3 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體電沉積長(zhǎng)周期實(shí)驗(yàn)
電沉積過(guò)程最重要的定律之一是法拉第定律,即電解質(zhì)溶液通電后,在電極上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)量與通入電量成正比[36],其表達(dá)式如
若單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)電量為Q,電沉積該金屬的質(zhì)量如
其中,k=M/(zF),代表金屬的電化摩爾當(dāng)量;對(duì)于亞銅來(lái)說(shuō),其數(shù)值為0.658 mg?C-1。即當(dāng)單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)電量為Q時(shí),電沉積銅的理論質(zhì)量為m理論=6.58
實(shí)際電沉積過(guò)程,受溶液雜質(zhì)或電解條件等因素影響,電極上也可能會(huì)發(fā)生副反應(yīng),這就導(dǎo)致電沉積實(shí)際消耗的電量與計(jì)算所需的理論電量不相符的情況,而這二者的比值通常被稱為電流效率,常以百分?jǐn)?shù)形式呈現(xiàn)[36]。當(dāng)電解液通過(guò)一定電量后,其電流效率的表達(dá)式如
在銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體電沉積過(guò)程中,假設(shè)理想狀態(tài)下的電流效率為100%,長(zhǎng)周期實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,當(dāng)單位時(shí)間0.5 h內(nèi)恒定通過(guò)電量為Q時(shí),電沉積銅的實(shí)際質(zhì)量為mCu in deposits=6.58
由此可計(jì)算銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體Cu(Ⅰ)濃度隨電沉積時(shí)間的變化趨勢(shì):
根據(jù)電沉積前的數(shù)據(jù)可計(jì)算獲得cCu(I)=(1.12~5.20)
表4為銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在25℃、電沉積電勢(shì)為-2.60 V下長(zhǎng)周期電沉積過(guò)程不同時(shí)間通過(guò)的電量,假設(shè)電流效率為100%,可計(jì)算獲得相應(yīng)電沉積時(shí)間階段銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體Cu(Ⅰ)濃度隨電沉積時(shí)間的變化,其結(jié)果如圖6所示,可以看出銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體Cu(Ⅰ)濃度隨時(shí)間逐步降低,且下降趨勢(shì)變緩,表明隨著時(shí)間推移,電沉積銅速率降低。8 h長(zhǎng)周期實(shí)驗(yàn)后Cu(Ⅰ)濃度從1.12 mol?L-1降至0.99 mol?L-1,此時(shí)Cu(Ⅰ)含量依然很高,對(duì)電解液繼續(xù)電沉積仍然可獲得金屬銅。
表4 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體長(zhǎng)周期電沉積過(guò)程不同時(shí)間通過(guò)的電量
Table 4
Potential/V | Time/h | Charge/C |
---|---|---|
-2.60 | 0.5 | 40.1 |
-2.60 | 1.0 | 39.1 |
-2.60 | 1.5 | 37.7 |
-2.60 | 2.0 | 38.4 |
-2.60 | 2.5 | 37.0 |
-2.60 | 3.0 | 37.4 |
-2.60 | 3.5 | 34.1 |
-2.60 | 4.0 | 33.9 |
-2.60 | 4.5 | 34.1 |
-2.60 | 5.0 | 33.7 |
-2.60 | 5.5 | 33.9 |
-2.60 | 6.0 | 32.7 |
-2.60 | 6.5 | 32.0 |
-2.60 | 7.0 | 32.5 |
-2.60 | 7.5 | 32.4 |
-2.60 | 8.0 | 31.7 |
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圖6
圖6 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體8 h長(zhǎng)周期實(shí)驗(yàn)過(guò)程Cu(Ⅰ)濃度隨時(shí)間的變化
Fig.6 Trend of Cu(Ⅰ) concentration for Cu-Al bimetallic composite ionic liquid during long-term electrodeposition
2.4 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體的電沉積產(chǎn)物及組成研究
圖7(a)~(c)分別為電沉積時(shí)間為0.5 h,電勢(shì)為-1.20、-1.70、-2.60 V獲得的沉積物的掃描電鏡圖,可以看出-1.20 V時(shí),電沉積產(chǎn)物的形貌不規(guī)則,部分呈現(xiàn)絨球狀;當(dāng)電勢(shì)為-1.70 V時(shí),沉積產(chǎn)物呈現(xiàn)不規(guī)則的顆粒狀;當(dāng)電勢(shì)為-2.60 V時(shí),沉積產(chǎn)物的形貌為尺寸更小的顆粒狀,且排布十分規(guī)整,此時(shí)沉積物變得更致密、平滑。由此表明沉積電勢(shì)對(duì)沉積產(chǎn)物的形貌和尺寸影響較大,隨著電位負(fù)移,沉積產(chǎn)物尺寸明顯減小,且更加規(guī)整致密。
圖7
圖7 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體不同電壓下獲得的陰極沉積物的SEM圖
Fig.7 SEM images of electrodeposits of Cu-Al bimetallic composite ionic liquid under different potentials
對(duì)于圖7中沉積電勢(shì)-2.60 V下的鍍層進(jìn)行EDX面掃,結(jié)果如圖8所示,除了少量殘留的鋁[0.47%(質(zhì)量,下同)]和氯(1.07%)、未完全覆蓋的銀基底(1.20%)和空氣氧化產(chǎn)生的氧(1.85%),可以明顯看出顆粒狀沉積物絕大部分為金屬銅(95.41%),并且銅元素整體分布比較均勻。
圖8
圖8 -2.60 V下得到的鍍層EDX面掃描譜圖
Fig.8 EDX mapping images of electrodeposits at the potential of -2.60 V with the elements of Cu, Al, Ag, Cl and O
此外,對(duì)于電沉積時(shí)間為0.5 h,不同電勢(shì)下獲得的電沉積產(chǎn)物進(jìn)行XRD表征,結(jié)果如圖9所示。發(fā)現(xiàn)在沉積電勢(shì)分別為-1.20、-1.70、-2.60 V時(shí),所得沉積產(chǎn)物的XRD衍射峰與PDF卡片Cu(89-2838)的相一致,說(shuō)明沉積產(chǎn)物均為金屬銅,其電沉積機(jī)理如
圖9
圖9 銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在不同電勢(shì)(-1.20、-1.70、-2.60 V, vs Pt)下的電沉積產(chǎn)物的XRD譜圖
Fig.9 XRD patterns of cathodic electrodeposits from Cu-Al bimetallic composite ionic liquid on the silver electrode at the potentials of -1.20, -1.70 and -2.60 V (vs. Pt)
3 結(jié)論
(1) 循環(huán)伏安研究表明高含量Cu(Ⅰ)的銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體在Pt盤(pán)電極、W盤(pán)電極和玻碳電極上的陽(yáng)極峰均包括Cu→Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅰ)→Cu(Ⅱ)兩個(gè)氧化過(guò)程,陰極峰均包括銅的欠電勢(shì)沉積、Cu(Ⅰ)的還原和銅的超電勢(shì)沉積。銅的欠電勢(shì)沉積和Cu(Ⅰ)的還原均是受擴(kuò)散控制的不可逆電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,其中Cu(Ⅰ)還原過(guò)程的平均電子傳遞系數(shù)αc2為0.30,擴(kuò)散系數(shù)平均值為2.08
(2) 計(jì)時(shí)安培研究表明復(fù)合離子液體中銅的成核方式為三維瞬時(shí)成核。
(3) 長(zhǎng)周期電沉積實(shí)驗(yàn)顯示銅鋁雙金屬?gòu)?fù)合離子液體中Cu(Ⅰ)濃度隨時(shí)間逐步下降的趨勢(shì)變緩,表明隨著時(shí)間推移,電沉積銅速率降低。
(4) 電沉積電勢(shì)對(duì)沉積產(chǎn)物的形貌和尺寸有較大影響,在-1.20~-2.60 V電勢(shì)下得到的沉積產(chǎn)物均為金屬銅,而且在-2.60 V下獲得的沉積產(chǎn)物更平整致密,且金屬銅的分布也更均勻。
符號(hào)說(shuō)明
工作電極面積,cm2 | |
Cu(Ⅰ)離子濃度,mol?L-1 | |
擴(kuò)散系數(shù),cm2?s-1 | |
陽(yáng)極峰電位,V | |
陰極峰電位,V | |
半峰電位,V | |
法拉第常數(shù),C?mol-1 | |
摩爾質(zhì)量,g?mol-1 | |
質(zhì)量,g | |
轉(zhuǎn)移電子數(shù) | |
電量,C | |
氣體常數(shù),J?K-1?mol-1 | |
熱力學(xué)溫度,K | |
體積,ml | |
電子計(jì)量系數(shù) | |
電流效率 | |
密度,g?ml-1 |
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